Все выпускаемые ИМС делятся на три группы по конструктивно-технологическим особенностям: каждой группе в системе условных обозначений присваивается своя цифра:
1, 5, 7 – ИМС полупроводниковые (7 – бескорпусные);
2, 4, 6, 8 – ИМС гибридные;
3 – ИМС прочие. К ним относятся пленочные ИМС.
По характеру выполняемых функций в радиоэлектронной аппаратуре ИМС делятся на подгруппы – генераторы, усилители, модуляторы и другие. Подгруппы делятся на виды: усилители – подгруппа, виды усилителей: высокой частоты, низкой частоты и так далее.
Элементную базу аппаратуры составляют серии ИМС – совокупность ИМС, выполняющих различные функции, имеющих единую конструктивно-технологическую базу и предназначенных для совместного применения в аппаратуре.
Первый элемент – цифра, соответствующая конструктивно-технологической группе;
Второй элемент – две или три цифры, означающие порядковый номер разработки данной серии ИМС; Первые два элемента, состоящие из трех-четырех цифр, характеризуют полный номер серии ИМС;
Третий элемент – две буквы, первая из которых характеризует подгруппу, а вторая – вид в этой подгруппе;
Четвертый элемент – порядковый номер разработки ИМС в данной серии, в которой может быть несколько одинаковых по своему функциональному назначению ИМС.
Для микросхем широкого применения в начале маркировки ставится буква К. Если после буквы К ставится буква П или М, то значит, что вся серия имеет пластмассовый или керамический корпус.
Например, К174УН7 – ИМС широкого применения (К), серия 174, полупроводниковая технология (1), подгруппа усилителей (У), вид – низкой частоты, порядковый номер разработки 7.
Выводы. 1. Создание ИМС вызвано необходимостью увеличения надежности, уменьшения габаритных размеров массы, стоимости сложной электронной аппаратуры. 2. ИМС выполняет определенную функцию, имеет высокую плотность размещения элементов.3. Все элементы ИМС рассматриваются как единое целое. схемы. 4. Достоинство гибридных ИМС- простота изготовления, малая трудоемкость и низкая стоимость по сравнению с полупроводниковыми ИМС. 5.Применение МДП-транзисторов в БИС обеспечивает большую степень интеграции за счет меньших размеров транзистора и меньшей площади изоляции.
Коптрольные вопросы:
1.Какими особенностями обладает ИМС?
2.По каким признакам производится классификация ИМС?
3.Назовите все элементы конструкции ИМС.
4.В чем отличие гибридной и пленочной ИМС?
5.Дайте определение базового комплекта БИС.
6.Дайте определение степени интеграции.
7.Какие элементы системы обозначений ИМС составляют номер серии?
8.Какие существуют проблемы повышения степени интеграции?
9.В чем состоят основные особенности больших интегральных схем?
За рубежом существуют различные системы кодирования (обозначения, маркировки)
ИМС, действующие как в международном масштабе, так и внутри отдельных стран
или фирм.
В европейских странах система кодирования ИМС аналогична системе, принятой
для кодирования дискретных полупроводниковых приборов, и используется полупроводниковыми
фирмами различных стран (Англии, Бельгии, Италии, Испании, Нидерландов,
Швеции, Франции, ФРГ и др.). Основные принципы кодирования системы, по
которой обозначения присваиваются международной организацией Association
International Pro Electron, приводятся ниже.
Код состоит из трех букв, за которыми следует серийный номер (например, ТВА810, SAB2000, FLH101).
Первая буква для одиночных схем отражает принцип преобразования сигнала в схеме: S - цифровое; Т - аналоговое; U - смешанное (аналого-цифровое).
Вторая буква не имеет специального значения (выбирается фирмой-изготовителем),
за исключением буквы Н, которой обозначаются гибридные схемы.
Для серий (семейств) цифровых схем первые две буквы (FA, FB, FC, FD,
FE, FF, FJ, FI, FL, FQ, FT, FY, FZ, GA, GB, GD, GF, GM, GT, GX, GY, GZ,
НВ, НС) отражают схемотехнологические особенности, например: FY - ЭСЛ-серия;
FD, GD - МОП-схемы; FQ - ДТЛ-схемы; GA - маломощные ТТЛ-схемы; FL, GF -
стандартные ТТЛ-схемы; GJ - быстродействующие ТТЛ-схемы; GM - маломощные
с диодами Шотки ТТЛ-схемы; НВ - комплементарные МОП-схемы серии 4000 А;
НС -комплементарные МОП-схемы серии 4500 В.
Третья буква обозначает диапазон рабочих температур или, как исключение,
другую важную характеристику:
А - температурный диапазон не нормирован;
В - от 0 до + 70°С;
С - от -55 до +125°С;
D - от -25 до +70°С;
Е - от -25 до +85°С;
F - от -40 до +85°С;
G - от -55 до + 85°С.
Затем следует серийный номер, состоящий минимум из четырех цифр. Если он состоит менее чем из четырех цифр, то число цифр увеличивается до четырех добавлением нулей перед ними.
Кроме того, за цифрами может следовать буква для обозначения варианта (разновидности)
основного типа. Типы корпусов могут обозначаться одной или двумя буквами. При двухбуквенном обозначении
вариантов корпусов (после серийного номера) первая буква отражает конструкцию:
С - цилиндрический корпус;
D - с двухрядным параллельным расположением выводов (DIP);
Е - мощный с двухрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом);
F - плоский (с двусторонним расположением выводов);
G - плоский (четырехсторонним расположением выводов);
К - корпус типа ТО-3;
М - многорядный (больше четырех рядов);
Q - с четырехрядным параллельным расположением выводов;
R - мощный с четырехрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом);
S - с однорядным расположением выводов;
Т - с трехрядным расположением выводов.
Вторая буква показывает материал корпуса:
G - стеклокерамика;
М - металл;
Р - пластмасса;
X - прочие.
Обозначения корпусов с одной буквой:
С - цилиндрический;
D - керамический;
F - плоский;
L - ленточный кристаллодержатель;
Р - пластмассовый DIP;
Q - с четырехрядным расположением выводов;
Т - миниатюрный пластмассовый;
U - бескорпусная ИМС.
В коде, действовавшем до 1973 г., первые две буквы обозначают то же, что и в современном,
а третья буква показывает функциональное назначение:
А - линейное усиление;
В - частотное преобразование/демодуляция;
С - генерация колебаний;
Н - логические схемы;
J - двухстабильные или мультистабильные схемы (делители частоты, триггеры, счетчики, регистры);
К - моностабильные схемы (одновибраторы);
L - цифровые преобразователи уровня (дешифраторы, драйверы);
М - схемы со сложной логической конфигурацией (например, сумматор);
N - двухстабильные или мультистабильные схемы (с длительным хранением информации);
Q - оперативное запоминающее устройство (ОЗУ);
R - постоянное запоминающее устройство (ПЗУ);
S - усилитель считывания с цифровым выходом;
Y - прочие схемы.
Следующие затем первые две цифры указывают серийный номер (от 10 до 99), а третья цифра - диапазон рабочих температур: 0 - температурный диапазон не нормирован; 1 - от 0 до +70°С; 2 - от -55 до 125°С; 3 - от -10 до +85°С; 4 - от + 15 до +55°С; 5 - от -25 до +70°С; 6- от -40 до +85°С.
Например, ИМС типа FY H121 является цифровой логической ИМС (буква Н) и относится к семейству FY (ЭСЛ). Она совместима с другими ИМС этой серии (семейства), т. е. используется при таком же напряжении питания, при тех же входных и выходных уровнях, имеет то же быстродействие. Это третий прибор серии (цифра 12), работает в температурном диапазоне от 0 до 70°С.
Буквенное обозначение ИМС различных фирм
Буквенное
обозначение | Фирма |
Буквенное
обозначение | Фирма |
A | RFT | DMPAL | NSC |
AD | Analod Devices (AD) | DMX | PMI |
ADB | National Semiconductor Corp. (NSC) | DN | Matsushita |
DP | NSC | ||
ADC | NSC, Datel, Burr-Brown (BB), Hybrid Systems (HS) | DQ | SEEQ |
DS | GI, NSC | ||
ADD | NSC | E | RFT, SGS |
ADM | NSC | ECG | Sylvania |
ADS | NSC | EF | Thomson |
ADX | NSC | EFB | Thomson |
AF | NSC | EFD | Thomson |
AH | NSC | EFF | Thomson |
AM | Advanced Micro Devices (AMD), NSC, Raytheon, DSI | EFG EFH | Thomson Thomson |
AMPAL | AMD | EFM | Thomson |
AN | Matsushita | EFS | Thomson |
ATF | BB | EFT | Thomson |
AY | General Instrument (GI) | EFY | Thomson |
B | Fujitsu, RFT | EFZ | Thomson |
BA | Rohm | EL | Elcap |
Bt | Brooktree Corp. | EP | Altera |
BUF | Precision Monolithics Inc. (PMI) | ER ESM | GI Thomson |
C | NSC, Fujitsu, RFT | ET | Thomson |
CA | RCA | ETC | Thomson |
CCD | Fairchild | ETL | Thomson |
CD | RCA, NSC | F | Fairchild, Master Logic (ML) |
CDA | Thomson | FC | Mullard |
CDM | RCA | FCH | Valvo |
CDP | RCA | FCK | Valvo |
CF | Harris | FCL | Valvo |
CM | Solitron, Mitel | FCM | Fairchild |
CMP | PMI | FCY | Valvo |
COM | SMC | FD | RTC, Siemens |
COP | NSC | FDN | Valvo |
CP | GI | FDQ | Valvo |
CRT | SMC | FDR | Valvo |
CSC | Crystal Semiconductor | FE | RTC |
CS | Cherry Semiconductor Corp. | FEJ | Valvo |
CU | GI | FEY | Valvo |
CX | Sony | FF | RTC |
CXA | Sony | FGC | Fairchild |
CY | Cypress Semiconductor | FGE | Fairchild |
D | Corp. RFT, Intersil, Siliconix | FJ FK | Mullard, RTC Mullard |
DA-AD | NSC | FL | Siemens |
DAC | BB, Datel, PMI, HS, NSC, Raytheon | FLT FQ | DSI SGS |
DAS | Datel | FWA | Fairchild |
DAX | NSC | FX | Consumer Microcircuits Limited |
DC | Digital Equipment Corp. (DEC) | FY | Siemens |
DCJ | DEC | FZ | Siemens |
DE | SEEQ | FZH | Valvo |
DF | Siliconix | FZJ | Valvo |
DG | Intersil, Siliconix | FZK | Valvo |
DGM | Siliconix | FZL | Valvo |
DH | NSC | G | Siliconix, Intersil |
DI | Dionics | GA | Mostek |
DL | GI, RFT | GAP | PMI |
DM | NSC, SEEQ | GB | Mostek |
Буквенное
обозначение | Фирма |
Буквенное
обозначение | Фирма |
GD | Siemens | IRK | Sharp |
GE | General Electric (GE) | ISP | NSC |
GEIC | GE | ITT | ITT |
GF | RTC | IX | Intel |
GL | GSS | J | Matsushita |
GT | RTC | JBP | Texas Instruments (TI) |
GX | Siemens, Valvo | KA | Samsung |
GXB | Philips, RTC, Valvo | KB | GI |
GZ | RTC | KM | Samsung |
GZF | Valvo | KR | SMC |
H | Hughes, SGS, Siliconix | KS | Gold Star, Samsung |
HA | Harris, Hitachi | L | SGS, Siliconix |
HAB | Harris, RTC, Valvo | LA | Sanyo, GI |
HAL | Monolithic Memories (MMI) | LAS | Lambda |
HAS | AD | LB | Sanyo |
HBS, HBF | SGS | LC | GI, Sanyo |
HC | Harris, Honeywell, RCA | LD | Siliconix |
HCC | SGS | LE | Sanyo, Seeq |
HCF | SGS-ATES | LF | NSC |
HCMP | Hughes | LFT | NSC |
HD | Harris, Hitachi | LG | GI |
HDS | AD | LH | NSC, Raytheon, Sharp, Siliconix |
HE | Honeywell | LLM | Lambda |
HEF | Mullard, Philips, RTC, Valvo | LM | NSC, Raytheon, Sanyo, Seeq, Siliconix, Signetics |
HI | Harris | ||
HLCD | Hughes | LMC | Lambda |
HM | Harris, Hitachi | LNA | TRW |
HMCS | Hitachi | LP | NSC |
HMMP | Hughes | LPD | Lambda |
HN | Hitachi | LQ | Seeq |
HNVM | Hughes | LR | Sharp |
HPL | Harris | LS | SGS |
HPROM | Harris | LT | Linear Technology Corp. |
HRAM | Harris | LTT | Lighes Telegraphiques Telefoniques |
HROM | Harris | LU | Sharp |
HS | Harris, Hybrid Systems NSC | LZ | Sharp |
HSG | SGS | M | Matsushita, Mitsubishi, SGS, Thomson |
HSSR | Hughes | ||
HSO | RTC | MA | Mitel. Philips |
HT | Harris, Honeywell | MAA | ITT, Tesla |
HX | Philips | MAB | Tesla |
HXA | RTC | MAC | Tesla |
HY | NSC | MAF | Tesla |
IB | Intel | MAS | Tesla |
IC | Intel | MAT | PMI |
ICL | Intersil | Max | Maxim |
ICM | Intersil | MB | Fujitsu, Intel, Philips |
ID | Intel | MBA | Tesla |
IDM | NSC | MBL | Fujitsu |
IH | Intersil, NSC | MBM | Fujitsu |
IM | Intel, Intersil, NSC | MC | Intel, Motorola, Nippon Electric (NEC), Unitra |
IMI | International Microcircuits Inc. (IMI) | MCA | NSC, Tesla |
IMP | NSC | MCB | Motorola |
IMS | Inmos | MCBC | Motorola |
INS | NSC | MCC | Motorola |
IP | Intel | MCCF | Motorola |
IPC | NSC | MCE | Motorola, MCE |
IR | Sharp | MCM | Motorola |
Буквенное обозначение ИМС различных фирм (продолжение)
Буквенное
обозначение | Фирма |
Буквенное
обозначение | Фирма |
MCX | Unitra | NOM | Plessey |
MCY | Unitra | NS | Nitron |
MD | Intel, Mitel, Philips | NSC | NSC |
MDA | Tesla | NSL | NSC |
ME | Philips | OP | PMI |
MEA | Milliard | OPA | BB |
MEB | Philips | PA | RCA |
MEM | GI | PAL | MMI, NSC |
MEN | GI | ||
MF | NSC | PC | GI |
MGB | MCE | PCA | Philips, Valvo |
MGC | MCE | PCB | Milliard, Philips, Valvo |
MH | NSC, Mitel, Tesla | ||
MHA | Tesla | PCC | Philips, Valvo |
MHC | Tesla | PCD | Milliard, Philips, Valvo |
MHD | Tesla | PCE | Philips, Valvo |
MHE | Tesla | PCF | Milliard, Philips, Valvo |
MHF | Tesla | PIC | GI, Unitrode |
MHG | Tesla | PKD | PMI |
MHW | Motorola | PLE | Monolithic Memories |
MIC | ITT | PM | PMI |
MJ | Plessey | PMB | TI |
MJA | Tesla | PMJ | TI |
MJB | Tesla | PNA | Philips, Valvo |
MK | Mostek | PMR | Lambda |
MKB | Mostek | R | Raytheon, Rockwell |
MKJ | Mostek | RA | GI, Reticon |
ML | ML, Mitel, Plessey | RC | Raytheon, Reticon |
MLA | ML | REF | PMI |
MLM | Motorola | RL | Raytheon, Reticon |
MM | Intel, NSC | RM | Raytheon |
MMS | Motorola | RO | GIC, Reticon |
MN | Matsushita, Micro Networks, Plessey | RPT | PMI |
RV | Raytheon | ||
MP | Intel, MPS, Plessey | R5 | Reticon |
MPC | BB | R6 | Hybrid Systems |
MPOP | MPS | S | American Microsystems, Signetics, Siliconix |
MPU | SMC | ||
MPY | IMI | SA | Signetics |
MPREF | MPS | SAA | Milliard, RTC, Philips, Valvo |
MSL | Oki | ||
MSM | Oki | SAB | Philips, RTC, Telefunken, Valvo |
MT | Mitel, Plessey | ||
MUX | GI, PMI | SAD | Reticon |
MV | DSI, Plessey | SAF | Philips, RTC, Valvo |
MWS | RCA | SAH | Milliard |
MX | American Microsystems, DSI, Intel | SAJ | ITT, Siemens, Valvo |
SAK | ITT, Valvo | ||
MYA | Tesla | SAM | Reticon |
MZH | Tesla | SAS | Telefunken, Oki |
MZJ | Tesla | SAY | ITT |
MZK | Tesla | SBA | GI |
N | Signetics | SBB | Philips, Valvo |
NC | GI, Nitron | SBP | Texas Instruments (TI) |
NCR | NCR Microelectronics | SC | Nitron |
NE | Signetics | SCB | Signetics |
NH | NSC | sec | Signetics |
NJ | Plessey | SCL | SSS |
NMC | NSC | SCM | SSS |
NMH | NSC | SCN | Signetics |
Буквенное обозначение ИМС различных фирм (продолжение)
Буквенное
обозначение | Фирма |
Буквенное
обозначение | Фирма |
sex | NSC | TBC | Siemens |
SD | NSC | TBE | Siemens |
SDA | Siemens, Philips, Thomson | TBP | TI |
SE | Signetics | TC | Toshiba |
SF | Thomson | TCA | ITT, Siemens, Valvo, SGS, Philips, RTC, Thomson, Telefunken |
SFC | Thomson | ||
SFF | Thomson | ||
SG | Silicon General | TCD | Toshiba |
SH | Fairchild | TCP | Toshiba |
SHC | BB | TD | Toshiba, Thomson |
SHM | DSI | TDA | ITT, RTC, SGS, Philips, Siemens, Telefunken, Thomson, Valvo |
SI | Siliconix | ||
SL | GI, NSC, Plessey | ||
SLE | Siemens | TDB | Philips, RTC, Siemens, Thomson, Valvo |
SM | NSC, SSS | ||
SMB | TI | TDC | TRW, Siemens, Thomson, Transitron |
SMM | Suwa | ||
SMP | PMI | TDE | Thomson, RTC |
SN | TI, Monolithic Memories | TDF | Thomson |
SNA | TI | TDP | Toshiba |
SNB | TI | TDS | TRW |
SNC | TI | TE | Thomson |
SND | SSS | TEA | RTC, Philips, Valvo, Mullard, Thomson |
SNH | TI | ||
SNJ | TI | TEB | Thomson |
SNN | TI | TEC | Thomson |
SNS | TI | TEE | Thomson |
SNT | TI | TFA | Siemens |
SP | American Microsystems | TFF | Transitron |
SPB | GI | TG | Transitron |
SPR | GI | TIFPLA | TI |
SR | SMC | TIL | TI |
SRM | Suwa | TIBPAL | TI |
ss | GI, SSS | TL | TI, Telefunken |
SSI | SSI | TLC | TI |
sss | PMI | TLE | Siemens |
STK | Sanyo | TM | Toshiba, Telmos |
SU | Signetics | TMC | Transitron, TRW |
SVM | Suwa | TMD | Telmos |
SW | PMI | TMF | Telmos |
SY | Synertek | TML | Telmos |
SYE | Synertek | TMM | Toshiba |
SYM | Synertek | TMP | Toshiba |
SYX | Synertek | TMS | TI |
T | SGS, Toshiba | TMZ | TRW |
TA | RCA, Toshiba | TNF | Transitron |
TAA | ITT, Siemens, SGS, Teleunken, Philips, Mullard, Valvo | TOA | Transitron |
TP | NSC, Teledyne | ||
TQ | TQSI | ||
TAB | Mullard | TRC | Transitron |
TAC | TI | TSC | Teledyne |
TAD | Mullard, Reticon | TSR | Transitron |
TAE | Siemens | TT | DSI |
TAF | Siemens | TVR | Transitron |
TAL | TI | U | Telefunken, GI, RFT |
TAT | TI | UA | GI |
TBA | ITT, RTC, Mullard, SGS Siemens, Philips, Telefunken, Valvo | UAA | Telefunken, Thomson, Valvo |
UAB | Thomson | ||
TBB | Siemens | UAC | Thomson |
Буквенное обозначение ИМС различных фирм (продолжение)
Буквенное
обозначение | Фирма |
Буквенное
обозначение | Фирма |
UC | Unitra, Unitrode, Solitron | VI | DSI |
UCN | Spraque | VL | VLSI Technology |
UCP | Spraque | VR | DSI |
UCQ | Spraque | VS | VLSI Technology |
UCS | Spraque | VT | VLSI Technology |
UCX | Unitra | VU | VLSI Technology |
UDN | Spraque | W | Siliconix |
UDP | Spraque | WD | Western Digital |
UDS | Spraque | X | Xicor |
UGN | Spraque | XR | Exar |
UHN | Spraque | Z | SGS, Zilog |
UL | American Microsystems, Unitra | ZLD | Ferranti |
ZN | Ferranti | ||
ULN | Spraque | ZNA | Ferranti |
ULS | Spraque | ZNREF | Ferranti |
UTN | Spraque | ZSS | Ferranti |
ZST | Ferranti | ||
ZX | Zytrex | ||
ZXCAL | Zytrex | ||
9N | Fairchild | ||
10G | Gigabit Logic Inc. (GLI) | ||
VC | VLSI Technology | 11G | GLI |
VF | VLSI Techn., DS1 | 12G | GLI |
VFC | BB | 16G | GLI |
VH | VLSI Technology | 90G | GLI |
Начинающие радиолюбители нередко сталкиваются с такой проблемой, как обозначение на схемах радиодеталей и правильное прочтение их маркировки. Основная трудность заключается в большом количестве наименований элементов, которые представлены транзисторами, резисторами, конденсаторами, диодами и другими деталями. От того, насколько правильно прочитана схема, во многом зависит ее практическое воплощение и нормальная работа готового изделия.
Резисторы
К резисторам относятся радиодетали, обладающие строго определенным сопротивление протекающему через них электрическому току. Данная функция предназначена для понижения тока в цепи. Например, чтобы лампа светила менее ярко, питание на нее подается через резистор. Чем выше сопротивление резистора, тем меньше будет свечение лампы. У постоянных резисторов сопротивление остается неизменным, а переменные резисторы могут изменять свое сопротивление от нулевого значения до максимально возможной величины.
Каждый постоянный резистор обладает двумя основными параметрами - мощностью и сопротивлением. Значение мощности указывается на схеме не буквенными или цифровыми символами, а с помощью специальных линий. Сама мощность определяется по формуле: P = U x I, то есть равна произведению напряжения и силы тока. Данный параметр имеет важное значение, поскольку тот или иной резистор может выдержать лишь определенное значение мощности. Если это значение будет превышено, элемент просто сгорит, так как во время прохождения тока по сопротивлению происходит выделение тепла. Поэтому на рисунке каждые линии, нанесенные на резистор, соответствуют определенной мощности.
Существуют и другие способы обозначения резисторов на схемах:
- На принципиальных схемах обозначается порядковый номер в соответствии с расположением (R1) и значение сопротивления, равное 12К. Буква «К» является кратной приставкой и обозначает 1000. То есть, 12К соответствует 12000 Ом или 12 килоом. Если в маркировке присутствует буква «М», это указывает на 12000000 Ом или 12 мегаом.
- В маркировке с помощью букв и цифр, буквенные символы Е, К и М соответствуют определенным кратным приставкам. Так буква Е = 1, К = 1000, М = 1000000. Расшифровка обозначений будет выглядеть следующим образом: 15Е - 15 Ом; К15 - 0,15 Ом - 150 Ом; 1К5 - 1,5 кОм; 15К - 15 кОм; М15 - 0,15М - 150 кОм; 1М2 - 1,5 мОм; 15М - 15мОм.
- В данном случае используются только цифровые обозначения. Каждое включает в себя три цифры. Первые две из них соответствуют значению, а третья - множителю. Таким образом, к множителям относятся: 0, 1, 2, 3 и 4. Они означают количество нулей, добавляемых к основному значению. Например, 150 - 15 Ом; 151 - 150 Ом; 152 - 1500 Ом; 153 - 15000 Ом; 154 - 120000 Ом.
Постоянные резисторы
Название постоянных резисторов связано с их номинальным сопротивлением, которое остается неизменным в течение всего периода эксплуатации. Они различаются между собой в зависимости от конструкции и материалов.
Проволочные элементы состоят из металлических проводов. В некоторых случаях могут использоваться сплавы с высоким удельным сопротивлением. Основой для намотки проволоки служит керамический каркас. Данные резисторы обладают высокой точностью номинала, а серьезным недостатком считается наличие большой собственной индуктивности. При изготовлении пленочных металлических резисторов, на керамическое основание напыляется металл, обладающий высоким удельным сопротивлением. Благодаря своим качествам, такие элементы получили наиболее широкое распространение.
Конструкция угольных постоянных резисторов может быть пленочной или объемной. В данном случае используются качества графита, как материала с высоким удельным сопротивлением. Существуют и другие резисторы, например, интегральные. Они применяются в специфических интегральных схемах, где использование других элементов не представляется возможным.
Переменные резисторы
Начинающие радиолюбители нередко путают переменный резистор с конденсатором переменной емкости, поскольку внешне они очень похожи друг на друга. Тем не менее, у них совершенно разные функции, а также имеются существенные отличия в отображении на принципиальных схемах.
В конструкцию переменного резистора входит ползунок, вращающийся по резистивной поверхности. Его основной функцией является подстройка параметров, заключающаяся в изменении внутреннего сопротивления до нужного значения. На этом принципе основана работа регулятора звука в аудиотехнике и других аналогичных устройствах. Все регулировки осуществляются за счет плавного изменения напряжения и тока в электронных устройствах.
Основным параметром переменного резистора является сопротивление, способное изменяться в определенных пределах. Кроме того, он обладает установленной мощностью, которую должен выдерживать. Этими качествами обладают все типы резисторов.
На отечественных принципиальных схемах элементы переменного типа обозначаются в виде прямоугольника, на котором отмечены два основных и один дополнительный вывод, располагающийся вертикально или проходящих сквозь значок по диагонали.
На зарубежных схемах прямоугольник заменен изогнутой линией с обозначением дополнительного вывода. Рядом с обозначением ставится английская буква R с порядковым номером того или иного элемента. Рядом проставляется значение номинального сопротивления.
Соединение резисторов
В электронике и электротехнике довольно часто используются соединения резисторов в различных комбинациях и конфигурациях. Для большей наглядности следует рассматривать отдельный участок цепи с последовательным, параллельным и .
При последовательном соединении конец одного резистора соединяется с началом следующего элемента. Таким образом, все резисторы подключаются друг за другом, и по ним протекает общий ток одинакового значения. Между начальной и конечной точкой существует только один путь для протекания тока. С возрастанием количества резисторов, соединенных в общую цепь, происходит соответствующий рост общего сопротивления.
Параллельным считается такое соединение, когда начальные концы всех резисторов объединяются в одной точке, а конечные выходы - в другой точке. Течение тока происходит по каждому, отдельно взятому резистору. В результате параллельного соединения с увеличением числа подключенных резисторов, возрастает и количество путей для протекания тока. Общее сопротивление на таком участке уменьшается пропорционально количеству подключенных резисторов. Оно всегда будет меньше, чем сопротивление любого резистора, подключенного параллельно.
Чаще всего в радиоэлектронике используется смешанное соединение, представляющее собой комбинацию параллельного и последовательного вариантов.
На представленной схеме параллельно соединяются резисторы R2 и R3. Последовательное соединение включает в себя резистор R1, комбинацию R2 и R3 и резистор R4. Для того чтобы рассчитать сопротивление такого соединения, вся цепь разбивается на несколько простейших участков. После этого значения сопротивлений суммируются и получается общий результат.
Полупроводники
Стандартный полупроводниковый диод состоит из двух выводов и одного выпрямляющего электрического перехода. Все элементы системы объединяются в общем корпусе из керамики, стекла, металла или пластмассы. Одна часть кристалла называется эмиттером, в связи с высокой концентрацией примесей, а другая часть, с низкой концентрацией, именуется базой. Маркировка полупроводников на схемах отражает их конструктивные особенности и технические характеристики.
Для изготовления полупроводников используется германий или кремний. В первом случае удается добиться более высокого коэффициента передачи. Элементы из германия отличаются повышенной проводимостью, для которой достаточно даже невысокого напряжения.
В зависимости от конструкции, полупроводники могут быть точечными или плоскостными, а по технологическим признакам они бывают выпрямительными, импульсными или универсальными.
Конденсаторы
Конденсатор представляет собой систему, включающую два и более электродов, выполненных в виде пластин - обкладок. Они разделяются диэлектриком, который значительно тоньше, чем обкладки конденсатора. Все устройство имеет взаимную емкость и обладает способностью к сохранению электрического заряда. На простейшей схеме конденсатор представлен в виде двух параллельных металлических пластин, разделенных каким-либо диэлектрическим материалом.
На принципиальной схеме рядом с изображением конденсатора указывается его номинальная емкость в микрофарадах (мкФ) или пикофарадах (пФ). При обозначении электролитических и высоковольтных конденсаторов, после номинальной емкости указывается значение максимального рабочего напряжения, измеряемого в вольтах (В) или киловольтах (кВ).
Переменные конденсаторы
Для обозначения конденсаторов с переменной емкостью используются два параллельных отрезка, которые пересекает наклонная стрелка. Подвижные пластины, подключаемые в определенной точке схемы, изображаются в виде короткой дуги. Возле нее проставляется обозначение минимальной и максимальной емкости. Блок конденсаторов, состоящий из нескольких секций, объединяется с помощью штриховой линии, пересекающей знаки регулировки (стрелки).
Обозначение подстроечного конденсатора включает в себя наклонную линию со штрихом на конце вместо стрелки. Ротор отображается в виде короткой дуги. Другие элементы - термоконденсаторы обозначаются буквами СК. В его графическом изображении возле знака нелинейной регулировки проставляется температурный символ.
Постоянные конденсаторы
Широко используются графические обозначения конденсаторов с постоянной емкостью. Они изображаются в виде двух параллельных отрезков и выводов из середины каждого из них. Возле значка проставляется буква С, после нее - порядковый номер элемента и с небольшим интервалом - числовое обозначение номинальной емкости.
При использовании в схеме конденсатора с , вместо его порядкового номера наносится звездочка. Значение номинального напряжения указывается лишь для цепей с высоким напряжением. Это касается всех конденсаторов, кроме электролитических. Цифровой символ напряжения проставляется после обозначения емкости.
Соединение многих электролитических конденсаторов требует соблюдения полярности. На схемах для обозначения положительной обкладки используется значок «+» либо узкий прямоугольник. При отсутствии полярности узкими прямоугольниками помечаются обе обкладки.
Диоды и стабилитроны
Диоды относятся к простейшим полупроводниковым приборам, функционирующим на основе электронно-дырочного перехода, известного как p-n-переход. Свойство односторонней проводимости наглядно передается на графических обозначениях. Стандартный диод изображается в виде треугольника, символизирующего анод. Вершина треугольника указывает направление проводимости и упирается в поперечную черту, обозначающую катод. Все изображение пересекается по центру линией электрической цепи.
Для используется буквенное обозначение VD. Оно отображает не только отдельные элементы, но и целые группы, например, . Тип того или иного диода указывается возле его позиционного обозначения.
Базовый символ применяется и для обозначения стабилитронов, представляющих собой полупроводниковые диоды с особыми свойствами. В катоде присутствует короткий штрих, направленный в сторону треугольника, символизирующего анод. Данный штрих располагается неизменно, независимо от положения значка стабилитрона на принципиальной схеме.
Транзисторы
У большинства радиоэлектронных компонентов имеется лишь два вывода. Однако такие элементы как транзисторы оборудованы тремя выводами. Их конструкции отличаются разнообразными типами, формами и размерами. Общие принципы работы у них одинаковые, а небольшие отличия связаны с техническими характеристиками конкретного элемента.
Транзисторы используются преимущественно в качестве электронных коммутаторов для включения и выключения различных устройств. Основное удобство таких приборов заключается в возможности коммутировать большое напряжение с помощью источника малого напряжения.
По своей сути каждый транзистор является полупроводниковым прибором, с помощью которого генерируются, усиливаются и преобразуются электрические колебания. Наибольшее распространение получили биполярные транзисторы с одинаковой электропроводностью эмиттера и коллектора.
На схемах они обозначаются буквенным кодом VT. Графическое изображение представляет собой короткую черточку, от середины которой отходит линия. Данный символ обозначает базу. К ее краям проводятся две наклонные линии под углом 60 0 , отображающие эмиттер и коллектор.
Электропроводность базы зависит от направления стрелки эмиттера. Если она направлена в сторону базы, то электропроводность эмиттера - р, а у базы - n. При направлении стрелки в противоположную сторону, эмиттер и база меняют электропроводность на противоположное значение. Знание электропроводности необходимо для правильного подключения транзистора к источнику питания.
Для того чтобы обозначение на схемах радиодеталей транзистора было более наглядным, оно помещается в кружок, означающий корпус. В некоторых случаях выполняется соединение металлического корпуса с одним из выводов элемента. Такое место на схеме отображается в виде точки, проставляемой там, где вывод пересекается с символом корпуса. Если же на корпусе имеется отдельный вывод, то линия, обозначающая вывод, может подсоединяться к кружку без точки. Возле позиционного обозначения транзистора указывается его тип, что позволяет существенно повысить информативность схемы.
Буквенные обозначение на схемах радиодеталей
Основное обозначение |
Наименование элемента |
Дополнительное обозначение |
Вид устройства |
Устройство |
Регулятор тока |
||
Блок реле |
|||
Устройство |
|||
Преобразователи |
Громкоговоритель |
||
Датчик тепловой |
|||
Фотоэлемент |
|||
Микрофон |
|||
Звукосниматель |
|||
Конденсаторы |
Батарея конденсаторов силовая |
||
Блок конденсаторов зарядный |
|||
Интегральные схемы, микросборки |
ИС аналоговая |
||
ИС цифровая, логический элемент |
|||
Элементы разные |
Теплоэлектронагреватель |
||
Лампа осветительная |
|||
Разрядники, предохранители, устройства защитные |
Дискретный элемент защиты по току мгновенного действия |
||
То же, по току инерционного действия |
|||
Предохранитель плавкий |
|||
Разрядник |
|||
Генераторы, источники питания |
Батарея аккумуляторов |
||
Синхронный компенсатор |
|||
Возбудитель генератора |
|||
Устройства индикационные и сигнальные |
Прибор звуковой сигнализации |
||
Индикатор |
|||
Прибор световой сигнализации |
|||
Табло сигнальное |
|||
Лампа сигнальная с зеленой линзой |
|||
Лампа сигнальная с красной линзой |
|||
Лампа сигнальная с белой линзой |
|||
Индикаторы ионные и полупроводниковые |
|||
Реле, контакторы, пускатели |
Реле токовое |
||
Реле указательное |
|||
Реле электротепловое |
|||
Контактор, магнитный пускатель |
|||
Реле времени |
|||
Реле напряжения |
|||
Реле команды включения |
|||
Реле команды отключения |
|||
Реле промежуточное |
|||
Катушки индуктивности, дроссели |
Дроссель люминесцентного освещения |
||
Измеритель времени действия, часы |
|||
Вольтметр |
|||
Ваттметр |
|||
Выключатели и разъединители силовые |
Выключатель автоматический |
||
Резисторы |
Терморезистор |
||
Потенциометр |
|||
Шунт измерительный |
|||
Варистор |
|||
Устройство коммутации в цепях управления, сигнализации и измерительных цепях |
Выключатель или переключатель |
||
Выключатель кнопочный |
|||
Выключатель автоматический |
|||
Автотрансформаторы |
Трансформатор тока |
||
Трансформаторы напряжения |
|||
Преобразователи |
Модулятор |
||
Демодулятор |
|||
Блок питания |
|||
Преобразователь частоты |
|||
Приборы электровакуумные и полупроводниковые |
Диод, стабилитрон |
||
Прибор электровакуумный |
|||
Транзистор |
|||
Тиристор |
|||
Соединители контактные |
Токосъемник |
||
Соединитель высокочастотный |
|||
Устройства механические с электромагнитным приводом |
Электромагнит |
||
Замок электромагнитный |
- Введение
- Корпуса SMD компонентов
- Типоразмеры SMD компонентов
- SMD резисторы
- SMD конденсаторы
- SMD катушки и дроссели
- SMD транзисторы
- Маркировка SMD компонентов
- Пайка SMD компонентов
Введение
Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются "SMD". По-русски это значит "компоненты поверхностного монтажа". Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово "запекают" и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.
Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся.
Для тех, кто впервые столкнулся с SMD-компонентами естественным является смятение. Как разобраться в их многообразии: где резистор, а где конденсатор или транзистор, каких они бывают размеров, какие корпуса smd-деталей существуют? На все эти вопросы ты найдешь ответы ниже. Читай, пригодится!
Корпуса чип-компонентов
Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса:
выводы/размер | Очень-очень маленькие | Очень маленькие | Маленькие | Средние |
2 вывода | SOD962 (DSN0603-2) , WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2) , SOD882D (DFN1106D-2) , SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) | SOD323, SOD328 | SOD123F, SOD123W | SOD128 |
3 вывода | SOT883B (DFN1006B-3) , SOT883, SOT663, SOT416 | SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) | SOT23 | SOT89, DPAK (TO-252) , D2PAK (TO-263) , D3PAK (TO-268) |
4-5 выводов | WLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665 | SOT353 | SOT143B, SOT753 | SOT223, POWER-SO8 |
6-8 выводов | SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6* | SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6) , SOT1118 (DFN2020-6) | SOT457, SOT505 | SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96 |
> 8 выводов | WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8) , SOT983 (DFN1714U-8) | WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9) , WLCSP24* | SOT1176 (DFN2510A-10) , SOT1158 (DFN2512-12) , SOT1156 (DFN2521-12) | SOT552, SOT617 (DFN5050-32) , SOT510 |
Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними.
Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота.
Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять .
Типы корпусов SMD по названиям
Название | Расшифровка | кол-во выводов |
SOT | small outline transistor | 3 |
SOD | small outline diode | 2 |
SOIC | small outline integrated circuit | >4, в две линии по бокам |
TSOP | thin outline package (тонкий SOIC) | >4, в две линии по бокам |
SSOP | усаженый SOIC | >4, в две линии по бокам |
TSSOP | тонкий усаженный SOIC | >4, в две линии по бокам |
QSOP | SOIC четвертного размера | >4, в две линии по бокам |
VSOP | QSOP ещё меньшего размера | >4, в две линии по бокам |
PLCC | ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J | >4, в четыре линии по бокам |
CLCC | ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J | >4, в четыре линии по бокам |
QFP | квадратный плоский корпус | >4, в четыре линии по бокам |
LQFP | низкопрофильный QFP | >4, в четыре линии по бокам |
PQFP | пластиковый QFP | >4, в четыре линии по бокам |
CQFP | керамический QFP | >4, в четыре линии по бокам |
TQFP | тоньше QFP | >4, в четыре линии по бокам |
PQFN | силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор | >4, в четыре линии по бокам |
BGA | Ball grid array. Массив шариков вместо выводов | массив выводов |
LFBGA | низкопрофильный FBGA | массив выводов |
CGA | корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя | массив выводов |
CCGA | СGA в керамическом корпусе | массив выводов |
μBGA | микро BGA | массив выводов |
FCBGA | Flip-chip ball grid array. М ассив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом | массив выводов |
LLP | безвыводной корпус |
Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы, чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки -- это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.
Типоразмеры SMD-компонентов
Чип-компоненты одного номинала могут иметь разные габариты. Габариты SMD-компонента определяются по его "типоразмеру". Например, чип-резисторы имеют типоразмеры от "0201" до "2512". Этими четырьмя цифрами закодированы ширина и длина чип-резистора в дюймах. Ниже в таблицах можно посмотреть типоразмеры в миллиметрах.
smd резисторы
Прямоугольные чип-резисторы и керамические конденсаторы | |||||
Типоразмер | L, мм (дюйм) | W, мм (дюйм) | H, мм (дюйм) | A, мм | Вт |
0201 | 0.6 (0.02) | 0.3 (0.01) | 0.23 (0.01) | 0.13 | 1/20 |
0402 | 1.0 (0.04) | 0.5 (0.01) | 0.35 (0.014) | 0.25 | 1/16 |
0603 | 1.6 (0.06) | 0.8 (0.03) | 0.45 (0.018) | 0.3 | 1/10 |
0805 | 2.0 (0.08) | 1.2 (0.05) | 0.4 (0.018) | 0.4 | 1/8 |
1206 | 3.2 (0.12) | 1.6 (0.06) | 0.5 (0.022) | 0.5 | 1/4 |
1210 | 5.0 (0.12) | 2.5 (0.10) | 0.55 (0.022) | 0.5 | 1/2 |
1218 | 5.0 (0.12) | 2.5 (0.18) | 0.55 (0.022) | 0.5 | 1 |
2010 | 5.0 (0.20) | 2.5 (0.10) | 0.55 (0.024) | 0.5 | 3/4 |
2512 | 6.35 (0.25) | 3.2 (0.12) | 0.55 (0.024) | 0.5 | 1 |
Цилиндрические чип-резисторы и диоды | |||||
Типоразмер | Ø, мм (дюйм) | L, мм (дюйм) | Вт | ||
0102 | 1.1 (0.01) | 2.2 (0.02) | 1/4 | ||
0204 | 1.4 (0.02) | 3.6 (0.04) | 1/2 | ||
0207 | 2.2 (0.02) | 5.8 (0.07) | 1 |
smd конденсаторы
Керамические чип-конденсаторы совпадают по типоразмеру с чип-резисторами, а вот танталовые чип-конденсаторы имеют своют систему типоразмеров:
Танталовые конденсаторы | |||||
Типоразмер | L, мм (дюйм) | W, мм (дюйм) | T, мм (дюйм) | B, мм | A, мм |
A | 3.2 (0.126) | 1.6 (0.063) | 1.6 (0.063) | 1.2 | 0.8 |
B | 3.5 (0.138) | 2.8 (0.110) | 1.9 (0.075) | 2.2 | 0.8 |
C | 6.0 (0.236) | 3.2 (0.126) | 2.5 (0.098) | 2.2 | 1.3 |
D | 7.3 (0.287) | 4.3 (0.170) | 2.8 (0.110) | 2.4 | 1.3 |
E | 7.3 (0.287) | 4.3 (0.170) | 4.0 (0.158) | 2.4 | 1.2 |
smd катушки индуктивности и дроссели
Индуктивности встречаются во множестве видов корпусов, но корпуса подчиняются все тому же закону типоразмеров. Это облегачает автоматический монтаж. Да и нам, радиолюбителям, позволяет легче ориентироваться.
Всякие катушки, дроссели и трансформаторы называются "моточные изделия". Обычно мы их мотаем сами, но иногда можно и прикупить готовые изделия. Тем более, если требуются SMD варианты, которые выпускаются со множестом бонусов: магнитное экранирование корпуса, компактность, закрытый или открытый корпус, высокая добротность, электромагнитное экранирование, широкий диапазон рабочих температур.
Подбирать требующуюся катушку лучше по каталогам и требуемому типоразмеру. Типоразмеры, как и для чип-резисторов задаются спомощью кода из четырех чисел (0805). При этом "08" обозначает длину, а "05" ширину в дюймах. Реальный размер такого SMD-компонента будет 0.08х0.05 дюйма.
smd диоды и стабилитроны
Диоды могут быть как в цилиндрических корпусах, так и в корпусах в виде небольших параллелипипедов. Цилиндрические корпуса диодов чаще всего предсавтлены корпусами MiniMELF (SOD80 / DO213AA / LL34) или MELF (DO213AB / LL41). Типоразмеры у них задаются также как у катушек, резисторов, конденсаторов.
Диоды, стабилитроны, конденсаторы, резисторы | |||||
Тип корпуса | L* (мм) | D* (мм) | F* (мм) | S* (мм) | Примечание |
DO-213AA (SOD80) | 3.5 | 1.65 | 048 | 0.03 | JEDEC |
DO-213AB (MELF) | 5.0 | 2.52 | 0.48 | 0.03 | JEDEC |
DO-213AC | 3.45 | 1.4 | 0.42 | - | JEDEC |
ERD03LL | 1.6 | 1.0 | 0.2 | 0.05 | PANASONIC |
ER021L | 2.0 | 1.25 | 0.3 | 0.07 | PANASONIC |
ERSM | 5.9 | 2.2 | 0.6 | 0.15 | PANASONIC, ГОСТ Р1-11 |
MELF | 5.0 | 2.5 | 0.5 | 0.1 | CENTS |
SOD80 (miniMELF) | 3.5 | 1.6 | 0.3 | 0.075 | PHILIPS |
SOD80C | 3.6 | 1.52 | 0.3 | 0.075 | PHILIPS |
SOD87 | 3.5 | 2.05 | 0.3 | 0.075 | PHILIPS |
smd транзисторы
Транзисторы для поверхностного монтажа могут быть также малой, средней и большой мощности. Они также имеют соответствующие корпуса. Корпуса транзисторов можно условно разбить на две группы: SOT, DPAK.
Хочу обратить внимание, что в таких корпусах могут быть также сборки из нескольких компонентов, а не только транзисторы. Например, диодные сборки.
Маркировка SMD-компонентов
Мне иногда кажется, что маркировка современных электронных компонентов превратилась в целую науку, подобную истории или археологии, так как, чтобы разобраться какой компонент установлен на плату иногда приходитсяпровести целый анализ окружающих его элементов. В этом плане советские выводные компоненты, на которых текстом писался номинал и модель были просто мечтой для любителя, так как не надо было ворошить груды справочников, чтобы разобраться, что это за детали.
Причина кроется в автоматизации процесса сборки. SMD компоненты устанавливаются роботами, в которых установлены сециальные бабины (подобные некогда бабинам с магнитными лентами), в которых расположены чип-компоненты. Роботу все равно, что там в бабине и есть ли у деталей маркировка. Маркировка нужна человеку.
Пайка чип-компонентов
В домашних условиях чип-компоненты можно паять только до определённых размеров, более-менее комфортным для ручного монтажа считается типоразмер 0805. Более миниатюрные компоненты паяются уже с помощью печки. При этом для качественной пропайки в домашних условиях следует соблюдать целый комплекс мер.
ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ И ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ
К ВЫПОЛНЕНИЮ КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ
Контрольная работа выполняется в соответствии с программой дисциплины «Микропроцессорные системы управления электроподвижным составом». Заданием предусматривается анализ и принцип работы одной из интегральных микросхем, которая используется в микропроцессорных системах управления электроподвижным составом.
Для успешного выполнения работы необходимо изучить материал дисциплины в соответствии с программой, а также познакомиться с назначением, условным графическим изображением и принципом работы заданной интегральной микросхемы.
Работа состоит из нескольких разделов, соответствующих этапам анализа работы интегральной микросхемы. По каждому разделу даны методические указания и приводится порядок выполнения, который необходимо соблюдать. Методические указания содержат лишь самые общие сведения по вопросам, предложенным для проработки. Более подробные сведения можно получить из литературы, список которой приведен в конце задания.
При оформлении работы необходимо соблюдать следующие правила:
1. Работа оформляется в виде пояснительной записки на одной стороне листов формата А4.
2. Графический материал и таблицы выполняется в соответствии с СТП ОмГУПС.
3. Пояснительная записка состоит из разделов, оформляемых по рекомендациям методических указаний.
4. Следует давать расшифровку условных обозначений, применяемых в пояснительной записке. Расшифровку каждого условного обозначения достаточно привести один раз при его первом появлении.
5. Не следует переписывать в качестве пояснений текст из методических указаний или литературных источников. Необходимые пояснения нужно формулировать самостоятельно, по возможности кратко.
Исходными данными для контрольной работы являются интегральные микросхемы, распложенные в табл. 1 согласно двух последних цифр учебного шифра студента.
Микросхемы для контрольной работы
Таблица 1
|
|
|
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
К ВЫПОЛНЕНИЮ РАБОТЫ
Кодовое обозначение интегральных микросхем и его расшифровка
В технической литературе можно встретить микросхемы, классифицированные по признаку преобразования сигнала: аналоговые (линейные), цифровые (дискретные) и аналого-цифровые. Типичным примером аналоговых схем являются операционные усилители, линейные интегральные стабилизаторы напряжения и другие, специализированные микросхемы – все они оперируют с непрерывным (или плавно изменяющимся) сигналом. Типичным примером цифровых схем являются логические микросхемы, счетчики, мультиплексоры и др. Аналого-цифровые микросхемы являются интегральными микросхемами промежуточного класса, содержащие элементы аналоговых и цифровых микросхем. Типичным простейшим представителем аналого-цифровых микросхем является компаратор, преобразующий непрерывный аналоговый сигнал в дискретный.
Согласно ОСТ 11.073.915-80 интегральные микросхемы отечественного производства обозначаются буквенно-цифровым кодом, который включает до шести знаков (элементов).
Первый элемент может состоять из одной буквы К, которая означает, что микросхема предназначена для устройств широкого общепромышленного применения. Если микросхема выполнена в экспортном исполнении, то перед буквой К стоит буква Э. Отсутствие первого элемента обозначения, буквы К, указывает, что микросхема предназначена для применения в специальной продукции.
Второй элемент – буква, характеризующая материал и тип корпуса микросхемы:
А – пластмассовый, планарный корпус;
Б – бескорпусная микросхема;
Е – металлополимерный корпус с параллельным двухрядным расположением выводов;
И – стеклокерамический планарный корпус;
М – металлокерамический, керамический или стеклокерамический корпус с параллельным двухрядным расположением выводов;
Н – кристаллоноситель (безвыводной);
Р – пластмассовый корпус с параллельным двухрядным расположением выводов (у цифровых микросхем часто опускается);
С – стеклокерамический корпус с двухрядным расположением выводов;
Ф – пластмассовый микрокорпус.
Третий элемент – одна цифра, указывает группу микросхем по конструктивно-технологическому признаку:
цифры 1, 5, 6, 7 – полупроводниковые микросхемы;
цифры 2, 4, 8 – гибридные микросхемы;
цифра 3 – прочие.
Четвертый элемент – две или три цифры, которые определяют порядковый номер разработки серии.
Пятый элемент – две буквы, определяют функциональное назначение микросхем по выполняемым функциям:
Г – генераторы:
ГС – гармонических сигналов;
ГГ – прямоугольных сигналов (мультивибраторы, блокинг-генераторы);
ГЛ – линейно изменяющихся сигналов;
ГФ – сигналов специальной формы;
ГМ – шума;
ГП – прочие;
В – вычислительные устройства:
ВЕ – Микро-ЭВМ;
ВМ – Микропроцессоры;
ВС – Микропроцессорные секции;
ВУ – Устройства микропрограммного управления;
ВР – Функциональные расширители;
ВБ – Устройства синхронизации;
ВН – Устройства управления прерыванием;
ВВ – Устройства управления вводом – выводом;
ВТ – Устройства управления памятью;
ВФ – Функциональные преобразователи информации;
ВА – Устройства сопряжения с магистралью;
ВИ – Времязадающие устройства;
ВХ – Микрокалькуляторы;
ВГ – Контроллеры;
ВК – Комбинированные устройства;
ВЖ – Специализированные устройства;
ВП – Прочие;
Р – Запоминающие устройства:
РМ – Матрицы ОЗУ;
РУ – ОЗУ;
РВ – Матрицы ПЗУ;
РЕ – ПЗУ (масочные);
РТ – ПЗУ с возможностью однократного программирования;
РР – ПЗУ с возможностью многократного электрического перепрограммирования;
РФ – ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием и электрической записью информации;
РА – Ассоциативные запоминающие устройства;
РЦ – Запоминающие устройства на ЦМД;
РП – Прочие.
Л – Логические элементы:
ЛЛ – ИЛИ;
ЛС – И - ИЛИ;
ЛА – И - НЕ;
ЛЕ – ИЛИ - НЕ;
ЛР – И - ИЛИ - НЕ;
ЛК – И-ИЛИ-НЕ (И-ИЛИ);
ЛМ – ИЛИ-НЕ (ИЛИ);
ЛБ – И-НЕ / ИЛИ-НЕ;
ЛД – Расширители;
ЛП – Прочие;
Т – Триггеры:
ТЛ – Шмитта;
ТД – Динамические;
ТТ – Т – триггер;
ТР – RS – триггер;
ТМ – D – триггер;
ТВ – JK – триггер;
ТК – Комбинированные;
ТП – Прочие;
И – Цифровые устройства:
ИР – Регистры;
ИМ – Сумматоры;
ИЛ – Полусумматоры;
ИЕ – Счетчики;
ИД – Дешифраторы;
ИК – Комбинированные;
ИВ – Шифраторы;
ИА – Арифметико - логические устройства;
ИП – Прочие;
Е – Источники вторичного питания:
ЕМ – Преобразователи;
ЕВ – Выпрямители;
ЕН – Стабилизаторы напряжения непрерывные;
ЕТ – Стабилизаторы тока;
ЕК – Стабилизаторы напряжения импульсные;
ЕУ – Устройства управления импульсными стабилизаторами напряжения;
ЕП – Прочие;
Х – Многофункциональные устройства:
ХА – Аналоговые;
ХЛ – Цифровые;
ХК – Комбинированные;
ХМ – Цифровые матрицы;
ХИ – Аналоговые матрицы;
ХТ – Комбинированные матрицы;
ХИ – Прочие;
М – Модуляторы:
МА – Амплитудные;
МИ – Импульсные;
МС – Частотные;
МФ – Фазовые;
МП –.Прочие;
Н – Наборы элементов;
НД – Диодов;
НТ – Транзисторов;
НР – Резисторов;
НЕ – Конденсаторов;
НК – Комбинированные;
НФ – Функциональные;
НП – Прочие;
П – Преобразователи:
ПС – Частоты;
ПФ – Фазы;
ПД – Длительности (импульсов);
ПН – Напряжения;
ПМ – Мощности;
ПУ – Уровня (согласователи);
ПЛ – Синтезаторы частоты;
ПЕ – Делители частоты аналоговые;
ПЦ – Делители частоты цифровые;
ПА – Цифро - аналоговые;
ПВ – Аналого - цифровые;
ПР – Код - код;
ПП – Прочие;
У – Усилители:
УТ – Постоянного тока;
УИ – Импульсные;
УЕ – Повторители;
УВ – Высокой частоты;
УР – Промежуточной частоты;
УН – Низкой частоты;
УК – Широкополосные;
УЛ – Считывания и воспроизведения;
УМ – Индикации;
УД – Операционные;
УС – Дифференциальные;
УП – Прочие;
Б – Устройства задержки:
БМ – Пассивные;
БР – Активные;
БП – Прочие;
С – Устройства селекции и сравнения:
СА – Амплитудные;
СВ – Временные;
СС – Частотные;
СФ – Фазовые;
СП – Прочие;
Ф – Фильтры:
ФВ – Верхних частот;
ФН – Нижних частот;
ФЕ – Полосовые;
ФР – Режекторные;